想定される用途:太陽電池用半導体の検査・評価等

インゴットやブロックの評価・判定が可能です。
検査時間が短縮できます。

従来技術

キャリア(電子と正孔)の拡散長を評価する手法としては、表面光起電力法(SPV法)があり
ますが、試料を走査しながら測定を行うため、測定に時間がかかります。また、キャリア
のライフタイムを評価する手法としては、マイクロ波光導電減衰法(μ-PCD法)がありま
すが、実際の太陽電池動作時の光強度とは異なる環境で基板の評価を行うこととなるため、
特性にずれがある可能性があります。


本発明の特徴

・インゴット、ブロックあるいはウエハに対しても評価・判定が可能です。
・検査時間を短縮し、分解能も向上します。

特許番号 特許5024865号
正式名称 半導体基板の評価方法

EXAMPLE

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