想定される用途:半導体基板/赤外線カメラのレンズ(車載、セキュリティ 等)/熱電変換材料

組成の均一性が高い/クラックが少ない=高品質
大口径、長尺の結晶も製造可能

従来技術・競合技術との比較

従来技術では種結晶(結晶を成長させる際に核となる結晶)の上に結晶を成長させていたため、成長(量産)が難しく、さらに種結晶と成長結晶との組成の違いが原因となりクラックが入りやすいという問題を有していました。本技術では、種結晶と成長結晶との接触面を小さくした容器や結晶の成長方向を任意に選択することで、これらの問題を解決しました。


技術概要・特徴

これまで固溶体※結晶(例:シリコンゲルマニウムやインジウムガリウムヒ素など)の結晶を製造する上で、「組成の均一化」、「大口径化」、「長尺化」は大きな課題でした。
本技術は、用途や生産性に合わせて容器を選択し、原料の加熱時に温度差を与えて結晶を任意の方向へ成長させることにより、組成の均一性が高くクラック(ひび割れ)の少ない結晶を、任意の口径および長さで製造できる技術です。
※2種類以上の固体が溶け合い、均一な1つの固体になっているもの

特許番号 特開2015-224176
発明名称 固溶体単結晶の製造方法

EXAMPLE

その他の特許