想定される用途：SiCウエハの検査機器等

ウエハの内部に存在する結晶構造欠陥を非破壊で二次元的に評価できます。
非破壊、高速、高空間分解能で検査できます。

従来技術

ウエハ内には高い密度で結晶構造欠陥が存在しており、しかもその分布は極めて不均一であ
ることから、SiCウエハ上に構築された電子デバイスの特性にばらつきを生じていました。
結局は素子の歩留まりを低下させるのみならず、高信頼性、高性能化を図る上での大きな障
害となっていました。

本発明の特徴

・非破壊、非接触で半導体試料の結晶構造欠陥の 2 次元分布の評価を高精度で行うこ
　とができます。
・マイクロパイプ、転位、積層欠陥等の結晶構造欠陥の評価を行うことができます。
・簡単な装置系で安価に、かつ室温で評価を行うことができます。
・半導体試料の深さ方向の結晶構造欠陥の分布の評価も行うことができます。