共同研究の背景及び概要

GaN半導体による耐放射線電子・光デバイスの実現のための、独自のMOCVD法によるGaN半導体素子結晶成長技術、プロセス技術、デバイス技術の開発を目指す。本研究では、高ドーズの放射線照射に対する挙動調査及び素子解析、結晶成長プロセスを改善した400℃の高温動作の正常性及び繰り返し動作後の特性劣化の解析評価、UVセンサ結晶及びデバイス試作を通じて、従来より高効率素子の作製技術を開発する。